2xN-Ch 55V 4,7A 2,0W 0,05R SO8
N-kanal
Konfiguration: Dobbelt
Kontinuerlig drain-strøm (Id): 4.7 A
Drain-source-spænding (Vds): 55 V
Aktiveret, modstand (Rds(on)): 50 mOhm
Gate-source-spænding: 20 V
Faldtid: 13 ns
Løftetid: 3.2 ns
Forsinkelsestid ved deaktivering: 32 ns
Forsinkelsestid ved aktivering: 8.3 ns
Driftstemperatur, min.: -55 °C
Driftstemperatur, maks.: 150 °C
Pakketype: SOIC
Stikstifter: 8
Monteringstype: SMD
MSL: Niveau-1
Taped
Effekttab (Pd): 2 W
- v/10 – Kr. 10,08
- v/25 – Kr. 7,23
- v/100 – Kr. 4,88
- v/1000 – Kr. 2,82
2xN-Ch 55V 4,7A 2,0W 0,05R SO8
N-kanal
Konfiguration: Dobbelt
Kontinuerlig drain-strøm (Id): 4.7 A
Drain-source-spænding (Vds): 55 V
Aktiveret, modstand (Rds(on)): 50 mOhm
Gate-source-spænding: 20 V
Faldtid: 13 ns
Løftetid: 3.2 ns
Forsinkelsestid ved deaktivering: 32 ns
Forsinkelsestid ved aktivering: 8.3 ns
Driftstemperatur, min.: -55 °C
Driftstemperatur, maks.: 150 °C
Pakketype: SOIC
Stikstifter: 8
Monteringstype: SMD
MSL: Niveau-1
Taped
Effekttab (Pd): 2 W