2xN-Ch 30V 5,5A 2,0W 0,031R SO8
Varenummer:
144-378
Varekode: FDS6930B
0 stk.
på lager
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 5.5 A |
| Drain source spænding maks. | 30 V |
| Drain source modstand maks. | 38 mΩ |
| Mindste tærskelspænding for port | 1V |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Kapslingstype | SOIC |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Transistorkonfiguration | Isoleret |
| Benantal | 8 |
| Kanalform | Enhancement |
| Effektafsættelse maks. | 2000 mW |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 2,7 nC ved 5 V |
| Højde | 1.5mm |
| Serie | PowerTrench |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Længde | 5mm |
| Bredde | 4mm |
| Transistormateriale | Si |
| Antal elementer per chip | 2 |
Inkl. moms
Kr. 37,54
- v/5 – Kr. 16,68
- v/25 – Kr. 12,43
- v/100 – Kr. 9,60
Produktfiler
2xN-Ch 30V 5,5A 2,0W 0,031R SO8
144-378
/ FDS6930B
0 stk.
på lager
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 5.5 A |
| Drain source spænding maks. | 30 V |
| Drain source modstand maks. | 38 mΩ |
| Mindste tærskelspænding for port | 1V |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Kapslingstype | SOIC |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Transistorkonfiguration | Isoleret |
| Benantal | 8 |
| Kanalform | Enhancement |
| Effektafsættelse maks. | 2000 mW |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 2,7 nC ved 5 V |
| Højde | 1.5mm |
| Serie | PowerTrench |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Længde | 5mm |
| Bredde | 4mm |
| Transistormateriale | Si |
| Antal elementer per chip | 2 |
Produktfiler