N-Ch. MOSFET, 20A 55V 62W TO-220AB

Varenummer: 144-015
Varekode: PHP20N06T,127
2 stk. på lager
Bestil inden kl. 14 i dag for afsendelse i dag
Vis lignende produkter i kategorien "MOSFET"
 
  
Kanaltype N
Drain-strøm kontinuerlig maks. 20 A
Drain source spænding maks. 55 V
Drain source modstand maks. 75 mΩ
Maks. tærskelspænding for port 4V
Mindste tærskelspænding for port 2V
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V
Kapslingstype TO-220AB
Monteringstype Hulmontering
Benantal 3
Transistorkonfiguration Enkelt
Kanalform Enhancement
Kategori Effekt MOSFET
Effektafsættelse maks. 62 W
Slukke-forsinkelsestid typisk 70 ns
Driftstemperatur min. -55 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk 11 nC ved 10 V
Indgangskapacitet ved Vds typisk 320 pF ved 25 V
Højde 9.4mm
Driftstemperatur maks. +175 °C
Længde 10.3mm
Bredde 4.7mm
Dimensioner 10.3 x 4.7 x 9.4mm
Antal elementer per chip 1
Tænd-forsinkelsestid typisk 10 ns
Transistormateriale Si
 
 
 
 
 
 
 
 
Inkl. moms
Kr. 25,00
  • v/5 – Kr. 20,00
  • v/10 – Kr. 15,00
  • v/25 – Kr. 12,50
  • v/50 – Kr. 10,00
  • v/100 – Kr. 8,75

N-Ch. MOSFET, 20A 55V 62W TO-220AB

144-015
/ PHP20N06T,127
2 stk. på lager
Bestil inden kl. 14 i dag for afsendelse i dag
Kontakt os for at få oplyst leveringstid
 
  
Kanaltype N
Drain-strøm kontinuerlig maks. 20 A
Drain source spænding maks. 55 V
Drain source modstand maks. 75 mΩ
Maks. tærskelspænding for port 4V
Mindste tærskelspænding for port 2V
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V
Kapslingstype TO-220AB
Monteringstype Hulmontering
Benantal 3
Transistorkonfiguration Enkelt
Kanalform Enhancement
Kategori Effekt MOSFET
Effektafsættelse maks. 62 W
Slukke-forsinkelsestid typisk 70 ns
Driftstemperatur min. -55 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk 11 nC ved 10 V
Indgangskapacitet ved Vds typisk 320 pF ved 25 V
Højde 9.4mm
Driftstemperatur maks. +175 °C
Længde 10.3mm
Bredde 4.7mm
Dimensioner 10.3 x 4.7 x 9.4mm
Antal elementer per chip 1
Tænd-forsinkelsestid typisk 10 ns
Transistormateriale Si