N-Ch 800V 12,6A 300W 0,58 TO-3PN
| Komponenthus | TO-3PN |
|---|---|
| Transistor polaritet | N-Ch |
| Produkt | MOSFET |
| Drain-Source spænding, max | 800 V |
| Effekt, max. | 300 W |
| Continuous drain current, max | 12.6 A |
| Drain-Source On-modstand, Rds(on) | 0.58 Ω |
QFET® N-kanal MOSFET, 11 A til 30 A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.
De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.
MOSFET-transistorer, Fairchild Semiconductor
Fairchild har en betydelig portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (>250 V) og lavspændingstyper (Fairchild MOSFET'er giver en fremragende pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og oversving, til lavere junction-kapacitet og omvendt genoprettelsesstrøm, for at overflødiggøre yderligere eksterne komponenter til at holde systemerne kørende længere.
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 12.6 A | |
| Drain source spænding maks. | 800 V | |
| Drain source modstand maks. | 750 mΩ | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Kapslingstype | TO-3PN | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Kategori | Effekt MOSFET | |
| Effektafsættelse maks. | 300000 mW | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 15.8mm | |
| Bredde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Dimensioner | 15.8 x 5 x 18.9mm | |
| Serie | QFET | |
| Højde | 18.9mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Tænd-forsinkelsestid typisk | 60 ns | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 68 nC ved 10 V | |
| Indgangskapacitet ved Vds typisk | 2700 pF ved 25 V | |
| Slukke-forsinkelsestid typisk | 155 ns |
- v/10 – Kr. 55,08
- v/25 – Kr. 50,22
- v/100 – Kr. 45,31
N-Ch 800V 12,6A 300W 0,58 TO-3PN
- Komponenthus TO-3PN
- Transistor polaritet N-Ch
- Produkt MOSFET
- Drain-Source spænding, max 800 V
- Effekt, max. 300 W
- Continuous drain current, max 12.6 A
- Drain-Source On-modstand, Rds(on) 0.58 Ω
QFET® N-kanal MOSFET, 11 A til 30 A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.
De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.
MOSFET-transistorer, Fairchild Semiconductor
Fairchild har en betydelig portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (>250 V) og lavspændingstyper (Fairchild MOSFET'er giver en fremragende pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og oversving, til lavere junction-kapacitet og omvendt genoprettelsesstrøm, for at overflødiggøre yderligere eksterne komponenter til at holde systemerne kørende længere.
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 12.6 A | |
| Drain source spænding maks. | 800 V | |
| Drain source modstand maks. | 750 mΩ | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Kapslingstype | TO-3PN | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Kategori | Effekt MOSFET | |
| Effektafsættelse maks. | 300000 mW | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 15.8mm | |
| Bredde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Dimensioner | 15.8 x 5 x 18.9mm | |
| Serie | QFET | |
| Højde | 18.9mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Tænd-forsinkelsestid typisk | 60 ns | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 68 nC ved 10 V | |
| Indgangskapacitet ved Vds typisk | 2700 pF ved 25 V | |
| Slukke-forsinkelsestid typisk | 155 ns |