N-Ch 800V 10A 300W 0,93 TO-247
| Komponenthus | TO-3PN |
|---|---|
| Transistor polaritet | N-Ch |
| Produkt | MOSFET |
| Drain-Source spænding, max | 800 V |
| Effekt, max. | 240 W |
| Continuous drain current, max | 10 A |
| Drain-Source On-modstand, Rds(on) | 0.93 Ω |
QFET® N-kanal MOSFET, 6 A til 10,9 A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.
De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.
MOSFET-transistorer, Fairchild Semiconductor
Fairchild har en betydelig portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (>250 V) og lavspændingstyper (Fairchild MOSFET'er giver en fremragende pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og oversving, til lavere junction-kapacitet og omvendt genoprettelsesstrøm, for at overflødiggøre yderligere eksterne komponenter til at holde systemerne kørende længere.
|
IXYS
|
|
N-MOSFET
|
||
|
unipolar
|
||
|
800V
|
||
|
10A
|
||
|
300W
|
||
|
TO247-3
|
||
|
THT
|
||
|
40nC
|
||
|
tube
|
||
|
enhanced
|
- Gross weight: 6.075 g
- v/10 – Kr. 55,08
- v/25 – Kr. 50,22
N-Ch 800V 10A 300W 0,93 TO-247
- Komponenthus TO-3PN
- Transistor polaritet N-Ch
- Produkt MOSFET
- Drain-Source spænding, max 800 V
- Effekt, max. 240 W
- Continuous drain current, max 10 A
- Drain-Source On-modstand, Rds(on) 0.93 Ω
QFET® N-kanal MOSFET, 6 A til 10,9 A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.
De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.
MOSFET-transistorer, Fairchild Semiconductor
Fairchild har en betydelig portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (>250 V) og lavspændingstyper (Fairchild MOSFET'er giver en fremragende pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og oversving, til lavere junction-kapacitet og omvendt genoprettelsesstrøm, for at overflødiggøre yderligere eksterne komponenter til at holde systemerne kørende længere.
|
IXYS
|
|
N-MOSFET
|
||
|
unipolar
|
||
|
800V
|
||
|
10A
|
||
|
300W
|
||
|
TO247-3
|
||
|
THT
|
||
|
40nC
|
||
|
tube
|
||
|
enhanced
|
- Gross weight: 6.075 g