N-Ch 500V 24A 270W 0,19R TO-3PN
| Komponenthus | TO-3PN |
|---|---|
| Transistor polaritet | N-Ch |
| Produkt | MOSFET |
| Drain-Source spænding, max | 500 V |
| Effekt, max. | 270 W |
| Continuous drain current, max | 24 A |
| Drain-Source On-modstand, Rds(on) | 0.19 Ω |
UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.
UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.
MOSFET-transistorer, Fairchild Semiconductor
Fairchild har en betydelig portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (>250 V) og lavspændingstyper (Fairchild MOSFET'er giver en fremragende pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og oversving, til lavere junction-kapacitet og omvendt genoprettelsesstrøm, for at overflødiggøre yderligere eksterne komponenter til at holde systemerne kørende længere.
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 24 A | |
| Drain source spænding maks. | 500 V | |
| Drain source modstand maks. | 190 mΩ | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Kapslingstype | TO-3PN | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 2 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Kategori | Høj spænding | |
| Effektafsættelse maks. | 270 W | |
| Bredde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Slukke-forsinkelsestid typisk | 164 ns | |
| Indgangskapacitet ved Vds typisk | 3120 pF ved 25 V | |
| Tænd-forsinkelsestid typisk | 47 ns | |
| Højde | 20.1mm | |
| Serie | UniFET | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 15.8mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Dimensioner | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 65 nC ved 10 V | |
| Transistormateriale | Si |
N-Ch 500V 24A 270W 0,19R TO-3PN
- Komponenthus TO-3PN
- Transistor polaritet N-Ch
- Produkt MOSFET
- Drain-Source spænding, max 500 V
- Effekt, max. 270 W
- Continuous drain current, max 24 A
- Drain-Source On-modstand, Rds(on) 0.19 Ω
UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.
UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.
MOSFET-transistorer, Fairchild Semiconductor
Fairchild har en betydelig portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (>250 V) og lavspændingstyper (Fairchild MOSFET'er giver en fremragende pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og oversving, til lavere junction-kapacitet og omvendt genoprettelsesstrøm, for at overflødiggøre yderligere eksterne komponenter til at holde systemerne kørende længere.
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 24 A | |
| Drain source spænding maks. | 500 V | |
| Drain source modstand maks. | 190 mΩ | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Kapslingstype | TO-3PN | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 2 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Kategori | Høj spænding | |
| Effektafsættelse maks. | 270 W | |
| Bredde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Slukke-forsinkelsestid typisk | 164 ns | |
| Indgangskapacitet ved Vds typisk | 3120 pF ved 25 V | |
| Tænd-forsinkelsestid typisk | 47 ns | |
| Højde | 20.1mm | |
| Serie | UniFET | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 15.8mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Dimensioner | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 65 nC ved 10 V | |
| Transistormateriale | Si |