N-Ch 600V 11A 190W 0,6R TO247AC

Varenummer: 141-446
Varekode: IRFPC50LCPBF
0 stk. på lager
Kontakt os for at få oplyst leveringstid
Vis lignende produkter i kategorien "MOSFET"
Kanaltype N
Drain-strøm kontinuerlig maks. 11 A
Drain source spænding maks. 600 V
Drain source modstand maks. 600 mΩ
Mindste tærskelspænding for port 2V
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V
Kapslingstype TO-247AC
Monteringstype Hulmontering
Benantal 3
Transistorkonfiguration Enkelt
Kanalform Enhancement
Kategori Effekt MOSFET
Effektafsættelse maks. 190 W
Transistormateriale Si
Tænd-forsinkelsestid typisk 17 ns
Længde 15.87mm
Driftstemperatur min. -55 °C
Højde 20.7mm
Antal elementer per chip 1
Gate-ladning ved Vgs typisk 84 nC ved 10 V
Indgangskapacitet ved Vds typisk 2300 pF ved 25 V
Dimensioner 15.87 x 5.31 x 20.7mm
Slukke-forsinkelsestid typisk 41 ns
Bredde 5.31mm
Driftstemperatur maks. +150 °C
Inkl. moms
Kr. 75,55

N-Ch 600V 11A 190W 0,6R TO247AC

141-446
/ IRFPC50LCPBF
0 stk. på lager
Kontakt os for at få oplyst leveringstid
Kanaltype N
Drain-strøm kontinuerlig maks. 11 A
Drain source spænding maks. 600 V
Drain source modstand maks. 600 mΩ
Mindste tærskelspænding for port 2V
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V
Kapslingstype TO-247AC
Monteringstype Hulmontering
Benantal 3
Transistorkonfiguration Enkelt
Kanalform Enhancement
Kategori Effekt MOSFET
Effektafsættelse maks. 190 W
Transistormateriale Si
Tænd-forsinkelsestid typisk 17 ns
Længde 15.87mm
Driftstemperatur min. -55 °C
Højde 20.7mm
Antal elementer per chip 1
Gate-ladning ved Vgs typisk 84 nC ved 10 V
Indgangskapacitet ved Vds typisk 2300 pF ved 25 V
Dimensioner 15.87 x 5.31 x 20.7mm
Slukke-forsinkelsestid typisk 41 ns
Bredde 5.31mm
Driftstemperatur maks. +150 °C