N-Ch 100V 56A 0,025R TO-220 AB
Varenummer:
141-438
Varekode: HUF75639P3
1 stk.
på lager
Bestil inden kl. 14 i dag for afsendelse i dag
Specifikationer
| Komponenthus | TO-220AB |
|---|---|
| Transistor polaritet | N-Ch |
| Produkt | MOSFET |
| Continuous drain current, max | 56 A |
| Effekt, max. | 200 W |
| Drain-Source spænding, max | 100 V |
| Drain-Source On-modstand, Rds(on) | 0.025 Ω |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 56 A | |
| Drain source spænding maks. | 100 V | |
| Drain source modstand maks. | 25 mΩ | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Kapslingstype | TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Kategori | Effekt MOSFET | |
| Effektafsættelse maks. | 200 W | |
| Slukke-forsinkelsestid typisk | 20 ns | |
| Indgangskapacitet ved Vds typisk | 2000 pF ved 25 V | |
| Serie | UltraFET | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Tænd-forsinkelsestid typisk | 15 ns | |
| Dimensioner | 10.67 x 4.83 x 9.4mm | |
| Højde | 9.4mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 110 nC ved 20 V | |
| Længde | 10.67mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
Inkl. moms
Kr. 43,75
- v/10 – Kr. 35,00
- v/25 – Kr. 30,00
Produktfiler
N-Ch 100V 56A 0,025R TO-220 AB
141-438
/ HUF75639P3
1 stk.
på lager
Bestil inden kl. 14 i dag for afsendelse i dag
Kontakt os for at få oplyst leveringstid
Specifikationer
- Komponenthus TO-220AB
- Transistor polaritet N-Ch
- Produkt MOSFET
- Continuous drain current, max 56 A
- Effekt, max. 200 W
- Drain-Source spænding, max 100 V
- Drain-Source On-modstand, Rds(on) 0.025 Ω
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 56 A | |
| Drain source spænding maks. | 100 V | |
| Drain source modstand maks. | 25 mΩ | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Kapslingstype | TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Kategori | Effekt MOSFET | |
| Effektafsættelse maks. | 200 W | |
| Slukke-forsinkelsestid typisk | 20 ns | |
| Indgangskapacitet ved Vds typisk | 2000 pF ved 25 V | |
| Serie | UltraFET | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Tænd-forsinkelsestid typisk | 15 ns | |
| Dimensioner | 10.67 x 4.83 x 9.4mm | |
| Højde | 9.4mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 110 nC ved 20 V | |
| Længde | 10.67mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
Produktfiler