N-Ch. MOSFET 60V 52,4A 0,021R TO-220

Varenummer: 118-996
Varekode: FQP50N06L
3 stk. på lager
Bestil inden kl. 14 i dag for afsendelse i dag
Vis lignende produkter i kategorien "MOSFET"
Antal elementer per chip 1
Benantal 3
Bredde 4.7mm
Dimensioner 10.1 x 4.7 x 9.4mm
Drain source modstand maks. 0,021 Ω
Drain source spænding maks. 60 V
Drain-strøm kontinuerlig maks. 52,4 A
Driftstemperatur maks. +175 °C
Driftstemperatur min. -55 °C
Effektafsættelse maks. 121 W
Gate source spænding maks. ±20 V
Gate-ladning ved Vgs typisk 24,5 nC V ved 5
Højde 9.4mm
Indgangskapacitet ved Vds typisk 1250 pF V ved 25
Kanalform Enhancement
Kanaltype N
Kapslingstype TO-220, TO-220AB
Kategori Effekt MOSFET
Konfiguration Single
Længde 10.1mm
Monteringstype Hulmontering
Slukke-forsinkelsestid typisk 80 ns
Tænd-forsinkelsestid typisk 20 ns
Inkl. moms
Kr. 57,75
  • v/10 – Kr. 37,50

N-Ch. MOSFET 60V 52,4A 0,021R TO-220

118-996
/ FQP50N06L
3 stk. på lager
Bestil inden kl. 14 i dag for afsendelse i dag
Kontakt os for at få oplyst leveringstid
Antal elementer per chip 1
Benantal 3
Bredde 4.7mm
Dimensioner 10.1 x 4.7 x 9.4mm
Drain source modstand maks. 0,021 Ω
Drain source spænding maks. 60 V
Drain-strøm kontinuerlig maks. 52,4 A
Driftstemperatur maks. +175 °C
Driftstemperatur min. -55 °C
Effektafsættelse maks. 121 W
Gate source spænding maks. ±20 V
Gate-ladning ved Vgs typisk 24,5 nC V ved 5
Højde 9.4mm
Indgangskapacitet ved Vds typisk 1250 pF V ved 25
Kanalform Enhancement
Kanaltype N
Kapslingstype TO-220, TO-220AB
Kategori Effekt MOSFET
Konfiguration Single
Længde 10.1mm
Monteringstype Hulmontering
Slukke-forsinkelsestid typisk 80 ns
Tænd-forsinkelsestid typisk 20 ns